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NTR1P02LT1中文资料

NTR1P02LT1图片

NTR1P02LT1外观图

  • 大小：46.67KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：Power MOSFET
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 12 V
  • 漏极连续电流：- 1.3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.22 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-23
  • 封装：Reel
  • 下降时间：15 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：0.4 W
  • 上升时间：15 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 典型关闭延迟时间：18 ns

NTR1P02LT1供应商

更新时间:2023-01-02 17:12:58
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